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珂晶达亮相CSE2025&九峰山论坛并受邀分享报告

分享了题为《三维全尺寸锗硅光电二极管与光信号的耦合仿真 A 3D Electrical-optical Fully Coupled TCAD Simulation for SiGe Photo Detector 》

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Mozz TCAD新版本(2025.04)发布

国内首个支持完整三维工艺和三维器件仿真的TCAD工具包

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CMOS 器件的总剂量效应

总剂量效应是器件辐射效应的一个重要方面

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