国产EDA技术先驱 | 培风图南半导体

【扬州，2025年4月16日-18日】—— 在中国扬州举行的“第六届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED2025)”上，苏州珂晶达电子有限公司受邀，分享了题为《TCAD与AI：BSPDN FinFET and SET simulation》的最新技术报告，报告以背面供电的FinFET组成的反相器为例，分析了从版图结构到工艺和器件结构生成，以及到抗辐射仿真结果，报告在最后引入AI助手的最新技术，正向和反向推动AI辅助修改仿真工程的角度简要介绍了AI助手如何辅助TCAD工程师快速熟悉仿真工程和提高效率。

珂晶达的展台吸引了海内外客户，公司展示了其辐射效应仿真软件，该软件专为预测和分析电子器件在辐射环境下的性能而设计。这些软件工具能够帮助工程师和研究人员在设计阶段就识别潜在的辐射相关问题，从而优化器件设计，提高其在太空、核能设施等高辐射环境下的可靠性。

此外，珂晶达凭借自主打造的抗辐射加固 Foundation IP 库，在电子系统防护方面更胜一筹。这些 IP 库相当于为电子系统穿上了一层“防护铠甲”，即便置身极端环境，系统也能稳如泰山。从技术层面来看，这无疑彰显了珂晶达在辐射防护赛道上的硬实力，无论是仿真软件的研发，还是整体解决方案的输出，都彰显了其全方位的技术追求与服务理念。

在本次会议上，珂晶达与全球顶尖技术专家围绕辐射效应仿真领域展开深度技术对话，共同参与前沿趋势研讨。