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【杭州，2023 年 8 月 10 日】—— 在“第十五届抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会”上，苏州珂晶达电子有限公司的联合创始人贡顶先生受邀发表了题为“16nm FinFET 器件单粒子翻转截面仿真”的报告。此次会议汇聚了国内抗辐射电子学与电磁脉冲领域的专家学者，共同探讨了相关技术的最新进展和未来挑战。

贡顶先生在报告中详细介绍了苏州珂晶达电子有限公司在 16nm FinFET（鳍式场效应晶体管）器件的单粒子翻转（Single Event Upset, SEU）效应仿真方面的研究成果。单粒子翻转是高能粒子撞击半导体器件时可能引发的瞬态或永久性错误，对于在辐射环境下工作的电子设备尤为重要。贡顶先生展示了公司如何利用先进的仿真技术，精确模拟和预测 FinFET 器件在高能粒子撞击下的响应，以及如何通过设计优化来提高器件的抗辐射能力。

苏州珂晶达电子有限公司作为国内领先的辐射效应仿真技术提供商，一直致力于为半导体行业提供高精度的仿真解决方案。公司在 FinFET 器件的辐射效应仿真方面的技术积累，为设计更可靠的抗辐射电子系统提供了强有力的支持。

贡顶先生的报告受到了与会专家的高度评价，他们认为苏州珂晶达电子有限公司的研究成果对于推动抗辐射电子学领域的发展具有重要意义。会议期间，公司还与多家研究机构和企业进行了深入交流，探讨了未来合作的可能性。

苏州珂晶达电子有限公司表示，将继续投入资源进行辐射效应仿真技术的研发，为国内外客户提供更优质的产品和服务。公司期待与全球同行携手合作，共同推动抗辐射电子学和电磁脉冲技术的进步，为电子设备的可靠性和安全性贡献力量。