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Mozz TCAD : 工艺与器件仿真

通过技术计算机辅助设计（TCAD）提供的预测性计算机模拟，器件工程师和工艺集成工程师可以在使用更少硅周期和晶圆的情况下开发和优化半导体工艺和器件。

Mozz TCAD 在集成的 GUI 环境中提供了先进的模型校准、实验设计（DoE）和结果可视化功能，这些功能是建立在基于物理的工艺和器件模拟器之上的。Mozz TCAD 提供与电路设计流程的连接，包括基于布局的结构创建、RC 寄生参数提取和基于 TCAD 的紧凑建模。

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MoSiOPC 为光刻工艺建模和从密集和稀疏设计中合成光掩模提供了准确且快速的解决方案。

它提供了一个完整的 GDS 到掩模流程，包括基于模型的光刻修正和后验证、基于规则的偏置、亚分辨率辅助特征（SRAF）插入和掩模规则检查（MRC）。

紧凑建模是现代集成电路设计流程中的重要步骤，它连接了电路设计、器件和加工技术。我们的建模工具和服务涵盖了各种设备和技术，包括 CMOS、射频、BCD、离散功率以及 GaN 和 SiC 等新兴技术的集成电路，主动和被动器件以及特殊功能，如统计模型、噪声模型和老化模型。

为了支持对 SoC 设计有严格交付时间要求的项目，我们提供一套基础 IP，包括标准单元和 IO 库、嵌入式存储器编译器、时钟生成器和其他模拟模块。