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MoSiZen OPC : 光刻与掩模制备
MoSiZen OPC为客户提供了一套综合性的分辨率增强技术解决方案。包括光强快速计算、基于模型的光刻掩模校正、修正后掩模版图验证，以及亚分辨率辅助图形添加等多种标准技术模块。为芯片制造精度提升和良率提升保驾护航。
光刻行为建模
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光学系统模型
- 快速光强计算
- 快速TCC(transmission cross coefficient)
- 光源、光瞳在掩模图形上的物理叠加效应
- Mask3D效应
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光阻模型
- 丰富的数学模型
- 全面覆盖扩散等化学反应
- 过拟合预防
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综合优化
- 高效的拟合计算模块
- 多参数、多策略优化
- 支持工艺窗口建模流程
掩模处理
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BIAS
- 规则化的几何图形边移动
- 移动标准表格的处理
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SRAF
- 生成亚分辨率辅助图形
- 基于尺寸约束的图形添加技术
- 清除规则定义灵活多样
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OPC
- 基于模型的掩模版图修正
- 多边形边沿切分
- 基于光强计算的切分线段移动
- 掩模制造规则的自动约束
- 与Python兼容的API接口
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Verify
- 基于模型的OPC结果验证
- 断开、桥接、边缘误差分析等标准检查
- 掩模误差放大因子(MEEF)、归一化图像对数斜率(NILS)、工艺窗口(PW)等指标分析
- 错误分类归纳
