Mozz TCAD : 工艺与器件仿真

通过TCAD提供的预测性计算机仿真，器件工程师和工艺集成工程师可以在使用更少硅周期和晶圆的情况下开发和优化半导体工艺和器件。

Mozz TCAD 在集成的 GUI 环境中提供了先进的模型校准、实验设计（DoE）和结果可视化功能，这些功能是建立在基于物理的工艺和器件仿真器之上的。Mozz TCAD 提供与电路设计流程的连接，包括基于布局的结构创建、RC 寄生参数提取和基于 TCAD 的紧凑建模。

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集成化工作平台环境

Mozz Workbench 是一个是用于工艺仿真实验的集成工作台。它采用了工程师熟悉的概念，例如工艺模块、晶圆和工艺条件拆分表, 还可以允许用户能够在一个易用的图形用户界面中将这些概念可视化并设计实验。

  • 工作台
    • 创建按模组和步骤组织的工艺和器件仿真
    • 自动化仿真、数据分析和可视化
    • 为仿真提供参数并从中提取变量
    • 在 Python 中对执行和数据流进行精细控制
    • 安排在任何规模的计算机上，运行来自多个供应商的多个仿真器的任务
    • 可通过自定义仿真器和分析脚本进行高度扩展
    • 用户可在图形化界面上的展开表来管理实验项目
  • 可视化
    • 1D/2D/3D 可视化和数据分析
    • 高级的几何结构、网格和内部变量可视化
    • 根据3D结构，创建2D剖面图
    • 根据 2D/3D 结构，创建1D曲线
    • 丰富的 X-Y 数据处理和绘图选项
    • 用于提取常见器件参数的内置工具
    • 完全可使用 Pyhton 代码编写脚本
  • 结构
    • 基于几何的器件结构编辑
    • 不需要工艺仿真的时候，可以创建复杂的 3D 器件几何结构
    • 具有工业级加强的几何结构和后端网格化的交互式图形界面
    • 完全可使用 Pyhton 代码编写脚本

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工艺仿真

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Mozz Process 支持以二维/三维方式仿真 Si, SiGe,和 SiC 基材料的半导体工艺，支持从功率器件到先进逻辑器件的工艺仿真。在下列工艺中，Mozz Process 都进行了建模。

  • 工艺
    • 物理模型
    • 离子注入(基于表格或者蒙特卡罗方法)
    • 扩散和杂质激活
    • 退火/热氧化
    • 机械应力
    • 现象学模型
    • 光刻
    • 刻蚀
    • 淀积和外延生长

器件仿真

Mozz Device 仿真半导体器件在电、热和光激励下的电学特性。配置一系列逐步详细的物理模型，Mozz Device 适用于分析和优化各种半导体器件。

  • 器件
    • 逻辑、存储器、仿真和射频
    • 体硅，SOI，FinFET 和 nanosheet
    • SRAM, Flash，DRAM 元包和微型阵列
    • SiGe HBT, GaAs, InP 和 GaN HEMT
    • 功率和可再生能源
    • LDMOS, VDMOS, IGBT 和其他硅基功率器件
    • GaN HEMT, SiC and Ga2O3 MOSFET
    • 硅光伏与多结太阳能电池
    • 硅光和光电子
    • CCD, APS, SPAD 和其他图像传感器
    • 探测器，调制器和其他硅光器件
    • 半导体光放大器(SOA)，FP 激光器，DFB 激光器和其他 III-V 族光电子器件

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寄生参数提取

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Mozz RCEx 是一种三维场求解器，用于从标准单元和 SRAM 单元等详细的三维器件和互连结构中精确提取寄生电容和电阻，并导出到 SPICE 网表。它是 DTCO 流程中的重要组成部分，可使电路 (SPICE) 仿真结合从 TCAD 获取的 MEOL 和 BEOL 信息。

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Mozz Extract是一款全自动化的工具，用于从TCAD仿真结果中提取晶体管的紧凑模型,支持包括BSIM-CMG,全局建模或者特定建模，以及制程趋势建模等高级紧凑模型。作为从详细的TCAD前端工艺（FEOL）器件仿真到电路仿真之间的桥梁，Mozz Extract是设计工艺协同优化(DTCO)流程中一个重要的组成部分。

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