国产EDA技术先驱 | 培风图南半导体
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博客
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CMOS 器件的总剂量效应
CMOS 器件的总剂量效应[2015-08-20] -
快速TCAD求解器
半隐式(HIDDM): 瞬态TCAD问题的一类快速求解器[2015-02-11] -
单粒子效应
单粒子的物理概念简介[2015-02-08] -
单粒子效应：机理仿真
单粒子效应的机理仿真[2015-02-08] -
多物理计算软件开发
多物理计算软件开发[2015-02-08] -
电离辐射的蒙特卡罗模拟
电离辐射的蒙特卡罗模拟[2015-02-08] -
计算机集群
计算机集群[2015-02-08] -
单粒子效应：轨道空间发生率的预估
轨道空间发生率的预估[2014-12-19] -
抗辐照加固单元库
抗辐照加固单元库[2014-08-15] -
CRad 空间轨道器件辐射效应预估软件
CRad 空间轨道器件辐射效应预估软件[2014-08-12]
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公司动态
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培风图南将参展第26届集成电路制造年会 CICD2024，并发表演讲：“从TCAD仿真到虚拟晶圆厂”
先进节点迅速增长的工艺研发费用正推动半导体行业更多地在研发阶段采用预测性的仿真，以便缩短工艺研发周期、节省研发开支。[2024-05-10]
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培风图南参展第七届国际智能工业大会 GIIC2024，探讨光电器件仿真的未来趋势
培风图南在智能制造板块（IM）发表报告：“基于现代TCAD框架的光电器件仿真”[2024-04-01]
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培风图南将亮相第七届国际智能工业大会 GIIC2024，分享光电子器件仿真技术
如何利用先进的 TCAD技术来预测和优化光电子器件的性能[2024-02-20]
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星汉灿烂IDAS行|墨研计算亮相IDAS2023峰会，展示从TCAD到OPC全流程DTCO解决方案
在先进逻辑技术领域的不断发展中，DTCO（Design Technology Co-Optimization，设计工艺协同优化）扮演着至关重要的角色[2023-09-18]
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珂晶达参展第五届全国辐射物理学术交流会 CRPS2023，分享辐射效应仿真前沿技术
分享在辐射防护设计、辐射剂量评估以及辐射环境下的器件可靠性分析等方面的技术经验和成功案例[2023-08-17]
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培风图南参展第七届MOS-AK器件模型国际学术会议，探讨TCAD软件框架的未来趋势
探讨半导体器件模型的最新进展和未来趋势[2023-08-12]
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第十五届抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 CREEMP2023：珂晶达分享基于自研软件的 16nm FinFET 器件单粒子翻转截面仿真
单粒子翻转是高能粒子撞击半导体器件时可能引发的瞬态或永久性错误，对于在辐射环境下工作的电子设备尤为重要[2023-08-10]
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墨研计算亮相第十七届中国半导体行业协会半导体分立器件年会 CSDD2023，展示TCAD解决方案的进展与应用”
如何利用先进的仿真工具来预测和优化器件性能，以及如何将这些技术应用于实际的半导体生产过程中[2023-07-20]
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珂晶达亮相第五届电子元器件辐射效应国际会议 ICREED2023，展示前沿技术
珂晶达软件在设计阶段帮助识别潜在辐射问题，优化器件设计，提升其在太空和核设施等环境下的可靠性[2023-05-27]
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培风图南受邀参加长三角集成电路产业创新联盟成立大会
长三角地区在半导体产业教育和技术创新方面迈出了重要一步[2023-03-31]
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中国科学院院士陈志明一行赴苏州培风图南半导体有限公司调研
中国科学院院士、著名计算数学家陈志明莅临苏州培风图南半导体有限公司指导。苏州市科协副主席倪志强、苏州工业园区科协副主席周华陪同[2022-07-11]
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产品动态
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MoSiZen OPC 新版本(2024.7)发布
光学临近校正全流程工具套件[2024-07-31] -
Mozz TCAD新版本(2024.3)发布
国内首个支持完整三维工艺和三维器件仿真的TCAD工具包[2024-03-15]
