国产EDA技术先驱 | 培风图南半导体

产品概览

培风图南在客户选择的晶圆厂提供130纳米到65纳米技术节点的标准单元库开发服务,基础单元库包括:

• 96个 组合单元

• 24个触发器, 包括 SEU/SET加强额 DICE 触发器

• 30个 数字I/O 单元

附加的单元可以根据需要添加。

抗辐射耐受性

• 总电离剂量（TID）耐受性> 300 kRad(Si)
• 器件对90MeV-cm2/mg一下的LET闩锁免疫
• 在GEO轨道环境中，静态SEU速率小于10-9 #/bit/day
• 特殊电路单元
  • 具有可选延迟滤波技术用于增强SET容忍度的DICE 触发器, .
  • 具有降低SET敏感性的时钟缓冲器.
  • 三重模冗余投票器

抗辐射容限设计通过PFTN的全物理SEE模拟框架进行验证.

Fig. 1 一个用于验证SEU加固设计的DICE触发器的TCAD模型.

Fig. 2 DICE触发器中存储节点的TCAD模拟电压波形, 展示了重离子撞击后的迅速恢复.

在PFTN的计算集群上进行了大量的模拟，以优化电路单元的布局，以实现SEL免疫和横截面最小化。通过多次设计和模拟迭代，实现了硬度，而不会产生过度设计。

EDA 流程

PFTN使用内部自动化流程进行单元库的创建，并提供一套供所有主要EDA供应商的标准ASIC流程使用的供应商中立的EDA视图.

PFTN可以为辐射硬度测试提供测试芯片和测试密钥。典型的设计周期目标是在六个月内进行首次流片。