紧凑模型 (Compact Modeling)

紧凑模型(Compact Modeling)是现代 IC 设计过程中必不可少的步骤，它将电路设计、器件和工艺开发联系起来。我们的建模工具和服务涵盖了广泛的器件和技术，包括 CMOS、RF、BCD、分立功率，以及 GaN 和 SiC IC、有源和无源器件等新兴技术，同时包含统计、噪声和老化等专业模型功能。

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CMOS 紧凑模型 (CMOS Compact Modeling)

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凭借完善的建模和 QA 工作流程，CMOS 和 FinFET 技术的紧凑建模可以以最高质量标准高效执行。

  • 器件
    • 有源和无源器件
    • 全局或者分块模型(Global or binning model)
    • 版图依赖效应 (Layout-dependent effects)
    • 偏差模型(Corner models)
    • 全局和局部变量的统计模型(Statistical models for global and local variations)
    • 噪声模型
    • 老化模型
  • 寄生
    • 寄生电阻和电容
    • 多 PEX 流
    • 刻蚀偏差和厚度波动
    • 偏差模型(Corner models)
    • EMIR 解决方案
  • 测试
    • 用于建模的器件表征
    • 12" and 8" 自动探针 (-40~125°C)
    • 全自动精密仪器 (SMU 和 LCR)

老化模型

当我们将设计推向极限时，传统、保守的可靠性分析方法逐渐变得不充分。精确的老化分析不仅需要获得竞争优势，还需要满足新的应用要求，例如 2.5D 和 3D 封装集成、汽车和数据中心等应用场景。

我们提供可靠性表征和老化建模服务，以满足客户对先进老化分析的需求。

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