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上星验证

抗辐射基础 IPs

我们提供多种工艺节点的抗辐射基础 IPs。设计加固，不需要改工艺。主要指标为： - 总剂量 100kRad(Si)，300kRad(Si) 或者更高。 - 单粒子闩锁阈值 LET > 90 MeV-cm2/mg - 特殊标准单元 - DICE 触发器，可选延时滤波，加强抗单粒子瞬态能力 - 抗单粒子瞬态的时钟 buffer - 为三模冗余设计的抗翻转表决器 - 加固存储 - DICE 和非 DICE SRAM 比特单元 - 内建逻辑冗余 - 纠检错码（EDAC）

抗辐射设计已通过全物理仿真验证。在保障闩锁免疫和和低翻转截面的基础上，为优化单元版图，我们用集群仿真服务器做了大量的设计-仿真迭代工作。如此节约了芯片面积和功耗，避免了过度设计。