器件模拟

Mozz Device 模拟半导体器件在电、热和光激励下的电学特性。 配置一系列逐步详细的物理模型，支持一大批的材料。

应用

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Mozz Device 适用于分析和优化各种半导体器件.

  • 器件
    • 逻辑、存储器、模拟和射频
    • 体硅，SOI，FinFET 和 nanosheet
    • SRAM, Flash，DRAM 原包和微型阵列
    • SiGe HBT, GaAs, InP 和 GaN HEMT
    • 功率和可再生能源
    • LDMOS, VDMOS, IGBT 和其他硅基功率器件
    • GaN HEMT, SiC 和 Ga2O3 MOSFET
    • 硅光伏与多结太阳能电池
    • 硅光和光电子
    • CCD, APS, SPAD 和其他图像传感器
    • 探测器。调制器和其他硅光器件
    • 半导体光放大器，FP 激光器，DFB 激光器和其他 III-V 族光电子器件

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